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背面多孔硅对SIMOX中铜杂质的吸除作用
在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×10^15cm^-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱测试表明铜杂质能穿过埋层SiO2并在背在......
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